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关于IC版图中的metal slot和metal density

发布时间: 2013-06-08 22:15:19     来源: EDA中国

在IC版图[layout]时,Design Rules中往往会注明金属线大于一定宽度时要挖slot,同时也会对metal density做出限定,小于规定的百分比时就要加dummy metal,由此看到的是这两条规则向着同一目的,那就是整个芯片上的金属的均匀性。

        在IC版图[layout]时,Design Rules中往往会注明金属线大于一定宽度时要挖slot,同时也会对metal density做出限定,小于规定的百分比时就要加dummy metal,由此看到的是这两条规则向着同一目的,那就是整个芯片上的金属的均匀性。

metal_slot

试想芯片上的金属密度不够均匀,有的地方密度大,有的地方密度小,那么在经过金属淀积后,metal density小的地方已经出现了低凹,再进行刻蚀和抛光后,原本Layout(版图)上
metal density较低的区域,对应在wafer上此时的metal的厚度要相比metal density较高区域的薄。故直接影响到wafer的平坦度,从而影响后续工序的精准度,造成
IC之电性不良、直接影响wafer的良率。

当整个芯片layout金属密度过低时,wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就多,容易造成刻蚀不干净,有过多metal残留于wafer上,影响后续工序。而当整个芯片layout金属密度过高时,则wafer 上对应需要刻蚀掉的metal量就少,容易造成刻蚀过量,对正常的metal导线也去刻蚀掉。

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