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基于TMS320F2812为控制芯片的半桥逆变器

发布时间: 2013-04-01 22:46:38     来源: EDA中国

基于TMS320F2812为控制芯片的半桥逆变器
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设计初期经过论证选取了TI 的TMS320F2812作为逆变器的控制芯片,逆变器采用半桥结构,两路PWM由TMS320F2812产生,同时2812还起到反馈调节和短路保护和过载保护的作用,完全实现了数字化。
高频逆变器的电路结构简图如下:
实际产品的输出波形如下:


电路设计过程:
采用半桥逆变电路,驱动通过光耦对单管IGBT进行三电平驱动,输出滤波电感前产生双极性调节的SPWM波,通过输出电感和电容构成的LC滤波电路形成标准正弦波。
IGBT的选取过程:
功率为120%时,输出电流的有效值是2400/220=10.9A,峰值为15.43A,估算滤波环节的无功电流为有功的10%,即1.54A,选择11N120CND双管并联。11N120CND的参数:Vces=1200V,Ic=42A(25℃)22A(110℃)
IGBT的DS间加阻容吸收电路,阻值为10Ω,电容为470P。
采用TI的 TMS320F2812作为控制核心后,有效的减小了逆变器的体积,提高了控制的灵活性,完全实现了数字化,更加有利于劳动成果的保密性,为逆变器的升级换代也提供了便利性。TMS2812集成的功能对于需要高速、重复计算和控制功能的应用非常理想。

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